驗證碳納米管的金屬/半導體特性

下圖表表示單壁碳納米管（SWNTs）的紫外光譜。

單壁碳納米管的手性（“扭轉(zhuǎn)變形”）決定了其直徑和物理性質(zhì)。例如：可確定其是否為金屬或半導體。這些性質(zhì)可反映電子結(jié)構(gòu)。UV-VIS-NIR分光光度計用于測量可見光區(qū)和近紅外區(qū)內(nèi)金屬和半導體的吸收光譜。

從圖表中可觀察到金屬和半導體產(chǎn)生的三條線的波數(shù)。通過計算各狀態(tài)密度，可預測三條線的波數(shù)分別代表碳納米管的光躍遷。自較低能量端開始，依次為：S1（半導體），S2（半導體）和M2（金屬）。

隨著單壁納米管（SWNT）直徑的減小，吸收光譜帶向高能量端轉(zhuǎn)移。直徑分布越廣，吸收峰范圍越寬。